NXP PMZB1200UPEYL

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-XFDFN

供应商器件包装

DFN1006B-3

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

410mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

厂商

恩智浦半导体

Power Dissipation (Max)

310mW (Ta), 1.67W (Tc)

Product Status

活跃

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.4Ohm @ 410mA, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

43.2 pF @ 15 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.2 nC @ 4.5 V

漏源电压 (Vdss)

30 V

Vgs（最大值）

±8V

场效应管特性

-