NXP PSMN004-60B，118

包装/外壳

QFN

安装类型

表面贴装

引脚数

6

供应商器件包装

D2PAK

Product Depth (mm)

5(mm)

Operating Temp Range

-20C to 70C

Mounting Styles

表面贴装

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

75A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

NXP USA Inc.

Power Dissipation (Max)

230W (Tc)

Product Status

活跃

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Usage Level

Commercial grade

包装

Bulk

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

TrenchMOS™

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.6mOhm @ 25A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

8300 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

168 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

60 V

Vgs（最大值）

±20V

筛选水平

COMMERCIALC

场效应管特性

-

产品长度(mm)

7(mm)

产品高度(mm)

0.9(mm)