PSMN014-80YLX
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NXP PSMN014-80YLX

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型号

PSMN014-80YLX

品牌

NXP

utmel 编号

1786-PSMN014-80YLX

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

DO-213AB, MELF

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

PSMN014-80YL - N-CHANNEL 80V, 14

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PSMN014-80YLX
PSMN014-80YLX NXP PSMN014-80YL - N-CHANNEL 80V, 14

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PSMN014-80YLX详情

NXP PSMN014-80YLX重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    DO-213AB, MELF

  • 供应商器件包装

    DO-213AB

  • Package

    Bulk

  • Base Product Number

    CDLL5543

  • Impedance (Max) (Zzt)

    100 Ohms

  • 厂商

    微芯片技术

  • Product Status

    活跃

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    62A (Tc)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    5V, 10V

  • Power Dissipation (Max)

    147W (Tc)

  • 操作温度

    -65°C ~ 175°C

  • 系列

    -

  • 容差

    ±5%

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 反向泄漏电流@ Vr

    10 nA @ 22.4 V

  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

    1.1 V @ 200 mA

  • 功率 - 最大

    500 mW

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    14mOhm @ 15A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.1V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    4640 pF @ 25 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    28.9 nC @ 5 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    80 V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 电压 - 齐纳(标准值)(Vz)

    25 V

  • 场效应管特性

    -

0个相似型号

PSMN014-80YLX拓展信息

BUK7219-55A
BUK7219-55A

NXP USA Inc.

PSMN1R7-60BS
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NXP USA Inc.

PMV250EPEA
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NXP USA Inc.

PMN20EN
PMN20EN

NXP USA Inc.

PSMN1R1-40BS
PSMN1R1-40BS

NXP USA Inc.

PSMN8R040PS127
PSMN8R040PS127

NXP USA Inc.

BSS83
BSS83

NXP USA Inc.

2N7002P,215
2N7002P,215

NXP USA Inc.

BLF6G38-10G,118
BLF6G38-10G,118

NXP USA Inc.

PSMN2R0-30YLE
PSMN2R0-30YLE

NXP USA Inc.

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