PSMN020-30MLCX详情
NXP PSMN020-30MLCX重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
供应商器件包装
LFPAK33
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
31.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
厂商
NXP USA Inc.
Package
Bulk
Power Dissipation (Max)
33W (Tc)
Product Status
活跃
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
系列
-
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
18.1mOhm @ 5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.95V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
430 pF @ 15 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
9.5 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
30 V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
-
PSMN020-30MLCX拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
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