NXP PSMN021-100YLX

包装/外壳

SC-100, SOT-669

安装类型

表面贴装

供应商器件包装

LFPAK56, Power-SO8

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Product Status

活跃

Power Dissipation (Max)

147W (Tc)

厂商

NXP USA Inc.

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

49A (Tc)

Package

Bulk

系列

-

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

21.5mOhm @ 15A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4640 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

65.6 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

100 V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-