PSMN070-200B118
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NXP PSMN070-200B118

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型号

PSMN070-200B118

品牌

NXP

utmel 编号

1786-PSMN070-200B118

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

SC-74A, SOT-753

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 200V 35A D2PAK

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PSMN070-200B118
PSMN070-200B118 NXP MOSFET N-CH 200V 35A D2PAK

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PSMN070-200B118详情

NXP PSMN070-200B118重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SC-74A, SOT-753

  • 供应商器件包装

    SOT-23-5

  • Package

    Bulk

  • Base Product Number

    MAX6321

  • 厂商

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • Product Status

    活跃

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    35A (Tc)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Power Dissipation (Max)

    250W (Tc)

  • 操作温度

    -40°C ~ 125°C (TA)

  • 系列

    -

  • 类型

    Simple Reset/Power-On Reset

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 输出量

    Open Drain, Push-Pull

  • 重置

    Active High/Active Low

  • 电压 - 阈值

    3V

  • 监测的电压数量

    1

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 重置超时

    140ms Minimum

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    70mOhm @ 17A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    4570 pF @ 25 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    77 nC @ 10 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    200 V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 场效应管特性

    -

0个相似型号

PSMN070-200B118拓展信息

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PSMN1R7-60BS
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PMV250EPEA
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PSMN1R1-40BS
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BLF6G38-10G,118
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2N7002P,215
2N7002P,215

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PSMN2R0-30YLE
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