NXP PSMN2R8-40BS，118

包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

安装类型

表面贴装

供应商器件包装

D2PAK

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A (Tc)

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Product Status

活跃

Power Dissipation (Max)

211W (Tc)

厂商

NXP USA Inc.

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

-

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.9mOhm @ 10A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4491 pF @ 20 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

71 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

40 V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-