PSMN7R8-120PSQ
PSMN7R8-120PSQ

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

NXP PSMN7R8-120PSQ

  • 收藏
  • 对比

型号

PSMN7R8-120PSQ

品牌

NXP

utmel 编号

1786-PSMN7R8-120PSQ

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

Cylinder

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
PSMN7R8-120PSQ
PSMN7R8-120PSQ NXP MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

PSMN7R8-120PSQ详情

NXP PSMN7R8-120PSQ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    Cylinder

  • 安装类型

    通孔

  • 供应商器件包装

    --

  • Package

    Bulk

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    70A (Tc)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • 厂商

    NXP USA Inc.

  • Power Dissipation (Max)

    349W (Tc)

  • Product Status

    活跃

  • 操作温度

    -40°C ~ 105°C

  • 系列

    MediaSensor™

  • 零件状态

    活跃

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 电压 - 供电

    5V

  • 输出量

    0.5 V ~ 4.5 V

  • 终端样式

    Packard, 3 Pin

  • 输出类型

    Analog Voltage

  • 准确性

    ±0.5%

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    7.9mOhm @ 25A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    9473 pF @ 60 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    167 nC @ 10 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    120 V

  • 工作压力

    75 PSI (517.11 kPa)

  • 压力类型

    密封压力表

  • 端口样式

    Threaded

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 端口尺寸

    Female - 7/16 (11.11mm) UNF

  • 最大压力

    --

  • 场效应管特性

    -

  • 特征

    Amplified Output, Temperature Compensated

0个相似型号

PSMN7R8-120PSQ拓展信息

BUK7219-55A
BUK7219-55A

NXP USA Inc.

PSMN1R7-60BS
PSMN1R7-60BS

NXP USA Inc.

PMV250EPEA
PMV250EPEA

NXP USA Inc.

PMN20EN
PMN20EN

NXP USA Inc.

PSMN1R1-40BS
PSMN1R1-40BS

NXP USA Inc.

PSMN8R040PS127
PSMN8R040PS127

NXP USA Inc.

BSS83
BSS83

NXP USA Inc.

2N7002P,215
2N7002P,215

NXP USA Inc.

BLF6G38-10G,118
BLF6G38-10G,118

NXP USA Inc.

PSMN2R0-30YLE
PSMN2R0-30YLE

NXP USA Inc.

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z