PSMN7R8-120PSQ详情
NXP PSMN7R8-120PSQ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
Cylinder
安装类型
通孔
供应商器件包装
--
Package
Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
70A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
厂商
NXP USA Inc.
Power Dissipation (Max)
349W (Tc)
Product Status
活跃
操作温度
-40°C ~ 105°C
系列
MediaSensor™
零件状态
活跃
技术
MOSFET (Metal Oxide)
电压 - 供电
5V
输出量
0.5 V ~ 4.5 V
终端样式
Packard, 3 Pin
输出类型
Analog Voltage
准确性
±0.5%
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
7.9mOhm @ 25A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
9473 pF @ 60 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
167 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
120 V
工作压力
75 PSI (517.11 kPa)
压力类型
密封压力表
端口样式
Threaded
Vgs(最大值)
±20V
端口尺寸
Female - 7/16 (11.11mm) UNF
最大压力
--
场效应管特性
-
特征
Amplified Output, Temperature Compensated
PSMN7R8-120PSQ拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
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