NXP PSMN8R5-100ESFQ

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

供应商器件包装

I2PAK

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

97A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

7V, 10V

厂商

恩智浦半导体

Power Dissipation (Max)

183W (Ta)

Product Status

活跃

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 1mA

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

-

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

8.8mOhm @ 25A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3181 pF @ 50 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

44.5 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

100 V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-