NXP Semiconductors BLV30
- 收藏
- 对比
BLV30
1964-BLV30
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
--
大陆
立即发货

Description: TRANSISTOR VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power
1最小包装量--
BLV30详情
NXP Semiconductors BLV30重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Package Description
DISK BUTTON, O-CRDB-F4
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
200 °C
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Shape
ROUND
Package Style
磁盘按钮
Transition Frequency-Nom (fT)
1150 MHz
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.75
端子位置
RADIAL
终端形式
FLAT
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
O-CRDB-F4
资历状况
不合格
配置
SINGLE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
集电极电流-最大值(IC)
1.5 A
最小直流增益(hFE)
15
集电极-发射器电压-最大值
30 V
最高频段
甚高频段
环境耗散-最大值
32.5 W
功率增益-最小值(Gp)
18 dB
BLV30拓展信息










哦! 它是空的。