NXP Semiconductors BSS63
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BSS63
1786-BSS63
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
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TRANSISTOR 100 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Purpose Small Signal
1最小包装量--
BSS63详情
NXP Semiconductors BSS63重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
房屋材料
GF - Nylon-66 or equivalent
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Gross Weight
2.38
Transport Packaging Size/Quantity
48*32*27/7200
Feature
Central contact diameter - 2.0mm; Socket diameter 6.3mm, thread M12
Minimum Switching Cycles (electrical)
5000
Mounting Hole Size
Ø12 with tabs mm
Dielectric Strength
500 (50 Hz, 1 min.) V
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Part Package Code
SOT-23
Package Description
PLASTIC PACKAGE-3
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Transition Frequency-Nom (fT)
85 MHz
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
类型
Low-voltage pin connector - plug, panel mount
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8541.21.00.95
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
深度
13.7 (housing) mm
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
触点电阻
30 mOhm max
配置
SINGLE
绝缘电阻
100 (at Utest.dc=500 V) MOhm min
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
工作温度范围
-20…+70 °C
额定电流
0.5 A
JEDEC-95代码
TO-236AB
最大耗散功率(Abs)
0.225 W
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
30
额定电压
30 (DC) V
集电极-发射器电压-最大值
100 V
VCEsat-最大值
0.25 V
饱和电流
1
外壳直径
13.8 (14max) mm
BSS63拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
NXP USA Inc.
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