BSS63
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NXP Semiconductors BSS63

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型号

BSS63

utmel 编号

1786-BSS63

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANSISTOR 100 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Purpose Small Signal

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BSS63 NXP Semiconductors TRANSISTOR 100 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Purpose Small Signal

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BSS63详情

NXP Semiconductors BSS63重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 房屋材料

    GF - Nylon-66 or equivalent

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Gross Weight

    2.38

  • Transport Packaging Size/Quantity

    48*32*27/7200

  • Feature

    Central contact diameter - 2.0mm; Socket diameter 6.3mm, thread M12

  • Minimum Switching Cycles (electrical)

    5000

  • Mounting Hole Size

    Ø12 with tabs mm

  • Dielectric Strength

    500 (50 Hz, 1 min.) V

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    NXP SEMICONDUCTORS

  • Part Package Code

    SOT-23

  • Package Description

    PLASTIC PACKAGE-3

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • Transition Frequency-Nom (fT)

    85 MHz

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    Low-voltage pin connector - plug, panel mount

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • HTS代码

    8541.21.00.95

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 深度

    13.7 (housing) mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 资历状况

    不合格

  • 触点电阻

    30 mOhm max

  • 配置

    SINGLE

  • 绝缘电阻

    100 (at Utest.dc=500 V) MOhm min

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    PNP

  • 工作温度范围

    -20…+70 °C

  • 额定电流

    0.5 A

  • JEDEC-95代码

    TO-236AB

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.225 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.1 A

  • 最小直流增益(hFE)

    30

  • 额定电压

    30 (DC) V

  • 集电极-发射器电压-最大值

    100 V

  • VCEsat-最大值

    0.25 V

  • 饱和电流

    1

  • 外壳直径

    13.8 (14max) mm

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技术文档: NXP Semiconductors BSS63.

BSS63拓展信息

BC856BS/DG/B3115
BC856BS/DG/B3115

NXP USA Inc.

BC857B/DG/B3215
BC857B/DG/B3215

NXP USA Inc.

BC807-40W/ZL135
BC807-40W/ZL135

NXP USA Inc.

BC857CW,115
BC857CW,115

NXP Semiconductors

PMBTA06/DG/B3235
PMBTA06/DG/B3235

NXP USA Inc.

BCW61C/DG/B4215
BCW61C/DG/B4215

NXP USA Inc.

BC51PAS115
BC51PAS115

NXP USA Inc.

BCX56-16115
BCX56-16115

NXP USA Inc.

BC817-25/DG/B2235
BC817-25/DG/B2235

NXP USA Inc.

BC847CT,115
BC847CT,115

NXP USA Inc.

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