NXP USA Inc. 2N7000,126

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

300mA Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

830mW Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Box (TB)

系列

TrenchMOS™

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

TIN

附加功能

逻辑电平兼容

HTS代码

8541.21.00.95

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

250

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

JESD-30代码

O-PBCY-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5 Ω @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

40pF @ 10V

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.3A

漏极-源极导通最大电阻

5Ohm

DS 击穿电压-最小值

60V

反馈上限-最大值 (Crss)

10 pF

RoHS状态

ROHS3 Compliant