2N7002BKT,115
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NXP USA Inc. 2N7002BKT,115

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型号

2N7002BKT,115

utmel 编号

1786-2N7002BKT,115

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

SC-75, SOT-416

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans MOSFET N-CH 60V 0.29A Automotive 3-Pin SC-75 T/R

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2N7002BKT,115
2N7002BKT,115 NXP USA Inc. Trans MOSFET N-CH 60V 0.29A Automotive 3-Pin SC-75 T/R

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2N7002BKT,115详情

NXP USA Inc. 2N7002BKT,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SC-75, SOT-416

  • 表面安装

    YES

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    290mA Ta

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    5V 10V

  • Power Dissipation (Max)

    260mW Ta

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2010

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 引脚数量

    3

  • 配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    1.6 Ω @ 500mA, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.1V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    50pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    0.6nC @ 4.5V

  • 漏源电压 (Vdss)

    60V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    0.29A

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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2N7002BKT,115拓展信息

BUK7219-55A
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PSMN1R7-60BS
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PMV250EPEA
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PMN20EN
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PSMN1R1-40BS
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PSMN8R040PS127
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BSS83
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BLF6G38-10G,118
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2N7002P,215
2N7002P,215

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PSMN2R0-30YLE
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