NXP USA Inc. 2N7002E

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

3

RoHS

Compliant

Package Description

,

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

2N7002E

Manufacturer

Vishay Siliconix

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

SILICONIX INC

Risk Rank

7.37

Part Package Code

SOT-23

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

FET 通用电源

最大功率耗散

350 mW

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

配置

Single

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

漏源电压 (Vdss)

60 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

300 mA

阈值电压

2 V

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.25 A

漏源击穿电压

60 V

输入电容

40 pF

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.35 W

漏源电阻

3 Ω

最大rds

3 Ω

栅源电压

2 V

达到SVHC

无SVHC