NXP USA Inc. BF1109,215
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BF1109,215
1786-BF1109,215
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOT-4, 4 PIN, FET RF Small Signal
1最小包装量--
BF1109,215详情
NXP USA Inc. BF1109,215重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOT-4, 4 PIN
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BF1109,215
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
恩智浦半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Risk Rank
5.77
Part Package Code
SOT
Drain Current-Max (ID)
0.03 A
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
低噪音
HTS代码
8541.21.00.75
子类别
FET 通用电源
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PDSO-G4
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE
箱体转运
SOURCE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.03 A
DS 击穿电压-最小值
11 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
反馈上限-最大值 (Crss)
0.04 pF
源Url状态检查日期
2013-06-14 00:00:00
最高频段
超高频段
BF1109,215拓展信息
NXP USA Inc.
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