NXP USA Inc. BFT46,215
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BFT46,215
1786-BFT46,215
晶体管 - JFET
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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JFET N-CH 10MA 250MW SOT23
1最小包装量--
BFT46,215详情
NXP USA Inc. BFT46,215重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
1997
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8541.21.00.95
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
BFT46
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
DEPLETION MODE
功率 - 最大
250mW
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
AMPLIFIER
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5pF @ 10V
漏源电压 (Vdss)
25V
DS 击穿电压-最小值
25V
场效应管技术
JUNCTION
最大耗散功率(Abs)
0.25W
反馈上限-最大值 (Crss)
1.5 pF
漏极电流(Idss) @ Vds (Vgs=0)
200μA @ 10V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)
1.2V @ 0.5nA
最大漏极电流(Id)
10mA
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BFT46,215拓展信息
NXP USA Inc.
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