BFT46,215
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NXP USA Inc. BFT46,215

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型号

BFT46,215

utmel 编号

1786-BFT46,215

商品类别

晶体管 - JFET

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

JFET N-CH 10MA 250MW SOT23

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BFT46,215
BFT46,215 NXP USA Inc. JFET N-CH 10MA 250MW SOT23

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BFT46,215详情

NXP USA Inc. BFT46,215重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 表面安装

    YES

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    1

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    1997

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • HTS代码

    8541.21.00.95

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 基本部件号

    BFT46

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    DEPLETION MODE

  • 功率 - 最大

    250mW

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    5pF @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    25V

  • DS 击穿电压-最小值

    25V

  • 场效应管技术

    JUNCTION

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.25W

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    1.5 pF

  • 漏极电流(Idss) @ Vds (Vgs=0)

    200μA @ 10V

  • 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)

    1.2V @ 0.5nA

  • 最大漏极电流(Id)

    10mA

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: NXP USA Inc. BFT46,215.

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右边的3个型号有着和NXP USA Inc. & BFT46,215相似的参数规格。

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BFT46,215拓展信息

PMBFJ108,215
PMBFJ108,215

NXP USA Inc.

PMBFJ109,215
PMBFJ109,215

NXP USA Inc.

PMBF4391,215
PMBF4391,215

NXP USA Inc.

PMBFJ113,215
PMBFJ113,215

NXP USA Inc.

PMBFJ310,215
PMBFJ310,215

NXP USA Inc.

BFT46
BFT46

NXP USA Inc.

PMBFJ111,215
PMBFJ111,215

NXP USA Inc.

PMBFJ112,215
PMBFJ112,215

NXP USA Inc.

PMBFJ174,215
PMBFJ174,215

NXP USA Inc.

PMBF4392,215
PMBF4392,215

NXP USA Inc.

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