ON Semiconductor BFR30LT1G

生命周期状态

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触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

质量

1.437803g

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

25V

最大功率耗散

225mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

1mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

BFR30

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

DEPLETION MODE

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

AMPLIFIER

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5pF @ 10V

连续放电电流(ID)

10mA

栅极至源极电压(Vgs)

25V

漏源击穿电压

25V

场效应管技术

JUNCTION

反馈上限-最大值 (Crss)

1.5 pF

漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)

4mA @ 10V

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)

5V @ 0.5nA

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅