NXP USA Inc. BLA1011S-200,112
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BLA1011S-200,112
1786-BLA1011S-200,112
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-502B
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BLA1011S-200
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BLA1011S-200,112详情
NXP USA Inc. BLA1011S-200,112重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
SOT-502B
表面安装
YES
供应商器件包装
SOT502B
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
厂商
NXP USA Inc.
Product Status
Obsolete
Voltage Rated
75 V
Package Description
CERAMIC PACKAGE-2
Package Style
FLATPACK
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Manufacturer Package Code
SOT502B
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
200 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BLA1011S-200,112
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
恩智浦半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Risk Rank
5.73
Part Package Code
SOT
系列
-
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.75
子类别
FET 通用电源
额定电流
-
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
频率
1.03GHz ~ 1.09GHz
引脚数量
2
JESD-30代码
R-CDFP-F2
资历状况
不合格
Brand Name
恩智浦半导体
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
700
箱体转运
SOURCE
测试电流
150 mA
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
LDMOS
增益
13dB
DS 击穿电压-最小值
75 V
功率 - 输出
200W
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
700 W
噪声图
-
电压-测试
36 V
最高频段
L带
BLA1011S-200,112拓展信息
NXP USA Inc.
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