NXP USA Inc. BLD6G21L-50,112
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BLD6G21L-50,112
1786-BLD6G21L-50,112
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-1130A
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BLD6G21L-50
1最小包装量--
BLD6G21L-50,112详情
NXP USA Inc. BLD6G21L-50,112重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Screw
包装/外壳
SOT-1130A
引脚数
5
供应商器件包装
CDFM4
Voltage, Rating
65 V
RoHS
Compliant
Package
Tray
厂商
NXP USA Inc.
Product Status
Obsolete
Voltage Rated
65 V
Manufacturer Package Code
SOT1130A
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BLD6G21L-50,112
Manufacturer
恩智浦半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Risk Rank
5.83
Part Package Code
DFM
系列
-
最高工作温度
200 °C
最小工作温度
-65 °C
额定电流
10.2A
额定电流
10.2 A
频率
2.02 GHz
Brand Name
恩智浦半导体
输出功率
8 W
测试电流
170 mA
测试电流
170 mA
晶体管类型
LDMOS (Dual), Common Source
连续放电电流(ID)
10.2 A
增益
13.5 dB
功率 - 输出
8W
噪声图
-
电压-测试
28 V
源Url状态检查日期
2013-06-14 00:00:00
测试电压
28 V
达到SVHC
compliant
BLD6G21L-50,112拓展信息
NXP USA Inc.
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