NXP USA Inc. BLF147
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BLF147
1786-BLF147
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
--
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TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CERAMIC PACKAGE-4, FET RF Power
--最小包装量--
BLF147详情
NXP USA Inc. BLF147重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
200 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BLF147
Package Shape
ROUND
Manufacturer
恩智浦半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Risk Rank
5.66
Drain Current-Max (ID)
25 A
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
子类别
FET 通用电源
端子位置
RADIAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
4
JESD-30代码
O-CRFM-F4
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
25 A
漏极-源极导通最大电阻
0.15 Ω
DS 击穿电压-最小值
65 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
220 W
最高频段
甚高频段
环境耗散-最大值
220 W
BLF147拓展信息
NXP USA Inc.
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