NXP USA Inc. BLF175,112

底架

Screw, Surface Mount

表面安装

NO

引脚数

4

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Voltage, Rating

125 V

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Package Description

SOT-123A, 4 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Manufacturer Package Code

SOT123A

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BLF175,112

Package Shape

ROUND

Manufacturer

恩智浦半导体

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS

Risk Rank

5.74

Part Package Code

SOT

Drain Current-Max (ID)

4 A

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.29.00.75

子类别

FET 通用电源

最大功率耗散

68 W

端子位置

RADIAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

额定电流

4 A

频率

108 MHz

引脚数量

2

JESD-30代码

O-CRFM-F4

资历状况

不合格

Brand Name

恩智浦半导体

配置

SINGLE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

输出功率

30 W

晶体管应用

AMPLIFIER

测试电流

30 mA

漏源电压 (Vdss)

125 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

4 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

增益

20 dB

最高频率

108 MHz

最大输出功率

30 W

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4 A

漏极-源极导通最大电阻

1.5 Ω

输入电容

130 pF

DS 击穿电压-最小值

125 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

68 W

漏源电阻

1.5 Ω

最高频段

甚高频段

测试电压

50 V

最小击穿电压

125 V

环境耗散-最大值

68 W

宽度

9.73 mm

高度

7.47 mm

长度

24.87 mm

无铅

无铅