NXP USA Inc. BLF245
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BLF245
1786-BLF245
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, SOT-123A, CERAMIC PACKAGE-4
1最小包装量--
BLF245详情
NXP USA Inc. BLF245重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Operating Temperature-Max
150 °C
Manufacturer Part Number
BLF245
Package Shape
ROUND
Manufacturer
Advanced Semiconductor Inc
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ASI SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
4.23
Drain Current-Max (ID)
6 A
ECCN 代码
EAR99
子类别
FET 通用电源
端子位置
RADIAL
终端形式
FLAT
Reach合规守则
unknown
引脚数量
4
JESD-30代码
O-CRFM-F4
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
6 A
DS 击穿电压-最小值
65 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
68 W
最高频段
甚高频段
BLF245拓展信息
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