NXP USA Inc. BLF647,112
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BLF647,112详情
NXP USA Inc. BLF647,112重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Manufacturer Package Code
SOT540A
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
200 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BLF647,112
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
恩智浦半导体
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Risk Rank
5.62
Part Package Code
SOT
Drain Current-Max (ID)
18 A
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.75
子类别
FET 通用电源
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
2
JESD-30代码
R-CDFM-F4
资历状况
不合格
Brand Name
恩智浦半导体
配置
COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
18 A
DS 击穿电压-最小值
65 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
290 W
最高频段
超高频段
BLF647,112拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
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