NXP USA Inc. BLF6G10LS200RN:11
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BLF6G10LS200RN:11
1786-BLF6G10LS200RN:11
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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BLF6G10LS-200RN
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BLF6G10LS200RN:11详情
NXP USA Inc. BLF6G10LS200RN:11重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
3
Voltage, Rating
65 V
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
额定电流
49 A
频率
891.5 MHz
元素配置
Single
输出功率
40 W
测试电流
1.4 A
漏源电压 (Vdss)
65 V
连续放电电流(ID)
49 A
栅极至源极电压(Vgs)
13 V
增益
20 dB
最高频率
894 MHz
最大输出功率
40 W
漏源击穿电压
65 V
测试电压
28 V
BLF6G10LS200RN:11拓展信息
NXP USA Inc.
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