NXP USA Inc. BLF6G27-135,112
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BLF6G27-135,112
1786-BLF6G27-135,112
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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TRANSISTOR S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-3, FET RF Power
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BLF6G27-135,112详情
NXP USA Inc. BLF6G27-135,112重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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底架
Screw
引脚数
3
Voltage, Rating
65 V
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
最高工作温度
200 °C
最小工作温度
-65 °C
额定电流
34 A
频率
2.7 GHz
元素配置
Single
输出功率
20 W
测试电流
1.2 A
漏源电压 (Vdss)
65 V
连续放电电流(ID)
34 A
栅极至源极电压(Vgs)
13 V
增益
16 dB
最高频率
2.7 GHz
最大输出功率
200 W
漏源击穿电压
65 V
漏源电阻
135 mΩ
测试电压
32 V
BLF6G27-135,112拓展信息
NXP USA Inc.
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