NXP USA Inc. BLF6G27LS-100,112
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BLF6G27LS-100,112
1786-BLF6G27LS-100,112
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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WiMAX power LDMOS transistor, SOT502B Package, Standard Marking, IC'S Tube - DSC Bulk Pack
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BLF6G27LS-100,112详情
NXP USA Inc. BLF6G27LS-100,112重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
3
Voltage, Rating
65 V
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BLF6G27LS-100,112
Manufacturer
恩智浦半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Risk Rank
5.84
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
额定电流
29 A
频率
2.7 GHz
元素配置
Single
输出功率
14 W
测试电流
900 mA
漏源电压 (Vdss)
65 V
连续放电电流(ID)
29 A
栅极至源极电压(Vgs)
13 V
增益
17 dB
最高频率
2.7 GHz
最大输出功率
14 W
漏源击穿电压
65 V
测试电压
28 V
达到SVHC
unknown
BLF6G27LS-100,112拓展信息
NXP USA Inc.
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