NXP USA Inc. BLF6G38-50,135
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BLF6G38-50,135
1786-BLF6G38-50,135
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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BLF6G38-50
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BLF6G38-50,135详情
NXP USA Inc. BLF6G38-50,135重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Screw
表面安装
YES
引脚数
3
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Voltage, Rating
65 V
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
Package Description
FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BLF6G38-50,135
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Ampleon
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
AMPLEON NETHERLANDS B V
Risk Rank
5.75
Drain Current-Max (ID)
16.5 A
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
额定电流
16.5 A
频率
3.6 GHz
参考标准
IEC-60134
JESD-30代码
R-CDFM-F2
配置
SINGLE
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
输出功率
9 W
晶体管应用
AMPLIFIER
测试电流
450 mA
漏源电压 (Vdss)
65 V
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
16.5 A
栅极至源极电压(Vgs)
13 V
增益
14 dB
最高频率
3.6 GHz
最大输出功率
70 W
漏源击穿电压
65 V
DS 击穿电压-最小值
65 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频段
S带
测试电压
28 V
BLF6G38-50,135拓展信息
NXP USA Inc.
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