BLF7G20LS-90P,112
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NXP USA Inc. BLF7G20LS-90P,112

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型号

BLF7G20LS-90P,112

utmel 编号

1786-BLF7G20LS-90P,112

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

SOT-1121B

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

BLF7G20LS-90P

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BLF7G20LS-90P,112
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BLF7G20LS-90P,112详情

NXP USA Inc. BLF7G20LS-90P,112重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOT-1121B

  • 引脚数

    5

  • 供应商器件包装

    LDMOST

  • Voltage, Rating

    65 V

  • Number of Elements

    2

  • RoHS

    Compliant

  • Package

    Tube

  • 厂商

    NXP USA Inc.

  • Product Status

    活跃

  • Voltage Rated

    65 V

  • 系列

    -

  • 最高工作温度

    200 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 额定电流

    2µA

  • 额定电流

    18 A

  • 频率

    1.88 GHz

  • 元素配置

    Dual

  • 输出功率

    84 W

  • 测试电流

    550 mA

  • 测试电流

    550 mA

  • 漏源电压 (Vdss)

    65 V

  • 晶体管类型

    LDMOS (Dual), Common Source

  • 连续放电电流(ID)

    18 A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    13 V

  • 增益

    19 dB

  • 最高频率

    1.88 GHz

  • 最大输出功率

    84 W

  • 漏源击穿电压

    65 V

  • 功率 - 输出

    90W

  • 噪声图

    -

  • 电压-测试

    28 V

  • 测试电压

    28 V

  • 辐射硬化

0个相似型号

BLF7G20LS-90P,112拓展信息

BUK7219-55A
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PSMN1R7-60BS
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PMV250EPEA
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PMN20EN
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PSMN1R1-40BS
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PSMN8R040PS127
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BLF6G38-10G,118
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2N7002P,215
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PSMN2R0-30YLE
PSMN2R0-30YLE

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