NXP USA Inc. BLF7G20LS-90P,112
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BLF7G20LS-90P,112
1786-BLF7G20LS-90P,112
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-1121B
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BLF7G20LS-90P
1最小包装量--
BLF7G20LS-90P,112详情
NXP USA Inc. BLF7G20LS-90P,112重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
包装/外壳
SOT-1121B
引脚数
5
供应商器件包装
LDMOST
Voltage, Rating
65 V
Number of Elements
2
RoHS
Compliant
Package
Tube
厂商
NXP USA Inc.
Product Status
活跃
Voltage Rated
65 V
系列
-
最高工作温度
200 °C
最小工作温度
-65 °C
额定电流
2µA
额定电流
18 A
频率
1.88 GHz
元素配置
Dual
输出功率
84 W
测试电流
550 mA
测试电流
550 mA
漏源电压 (Vdss)
65 V
晶体管类型
LDMOS (Dual), Common Source
连续放电电流(ID)
18 A
栅极至源极电压(Vgs)
13 V
增益
19 dB
最高频率
1.88 GHz
最大输出功率
84 W
漏源击穿电压
65 V
功率 - 输出
90W
噪声图
-
电压-测试
28 V
测试电压
28 V
辐射硬化
无
BLF7G20LS-90P,112拓展信息
NXP USA Inc.
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