NXP USA Inc. BLF861A

表面安装

YES

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Operating Temperature-Max

200 °C

Manufacturer Part Number

BLF861A

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Advanced Semiconductor Inc

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ASI SEMICONDUCTOR INC

Risk Rank

5.29

Drain Current-Max (ID)

18 A

ECCN 代码

EAR99

子类别

FET 通用电源

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

Reach合规守则

unknown

引脚数量

4

JESD-30代码

R-CDFM-F4

资历状况

不合格

配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

SOURCE

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

18 A

DS 击穿电压-最小值

65 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

318 W

最高频段

超高频段