NXP USA Inc. BLF879P,112

底架

Screw

表面安装

YES

引脚数

5

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

RoHS

Compliant

Package Description

FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BLF879P,112

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Ampleon

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

AMPLEON NETHERLANDS B V

Risk Rank

8.46

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

频率

860 MHz

参考标准

IEC-60134

JESD-30代码

R-CDFM-F4

配置

COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

SOURCE

输出功率

200 W

晶体管应用

AMPLIFIER

测试电流

1.3 A

漏源电压 (Vdss)

104 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

38 A

栅极至源极电压(Vgs)

11 V

增益

21 dB

最高频率

860 MHz

漏源击穿电压

104 V

DS 击穿电压-最小值

104 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最高频段

超高频段

测试电压

42 V

最小击穿电压

104 V

无铅

无铅