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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥575.344544
10
¥542.777873
100
¥512.054593
500
¥483.070373
1000
¥455.726766
NXP USA Inc. BLF8G09LS-400PGWQ
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BLF8G09LS-400PGWQ
1786-BLF8G09LS-400PGWQ
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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BLF8G09LS-400PGW
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¥
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BLF8G09LS-400PGWQ详情
NXP USA Inc. BLF8G09LS-400PGWQ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
26 Weeks
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-CDSO-G8
Package Style
小概要
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BLF8G09LS-400PGWQ
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Ampleon
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
接触制造商
Ihs Manufacturer
AMPLEON NETHERLANDS B V
Risk Rank
5.23
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
参考标准
IEC-60134
JESD-30代码
R-CDSO-G8
配置
COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
DS 击穿电压-最小值
65 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频段
超高频段
BLF8G09LS-400PGWQ拓展信息
NXP USA Inc.
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