NXP USA Inc. BLF8G20LS-400PGVJ
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BLF8G20LS-400PGVJ
1786-BLF8G20LS-400PGVJ
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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BLF8G20LS-400PGV
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BLF8G20LS-400PGVJ详情
NXP USA Inc. BLF8G20LS-400PGVJ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
26 Weeks
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
9
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Voltage, Rating
65 V
RoHS
Compliant
Package Description
SMALL OUTLINE, R-CDSO-G8
Package Style
小概要
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BLF8G20LS-400PGVJ
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Ampleon
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
接触制造商
Ihs Manufacturer
AMPLEON NETHERLANDS B V
Risk Rank
5.23
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
225 °C
最小工作温度
-65 °C
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
频率
1.88 GHz
参考标准
IEC-60134
JESD-30代码
R-CDSO-G8
配置
COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
输出功率
95 W
晶体管应用
AMPLIFIER
测试电流
3.4 A
漏源电压 (Vdss)
65 V
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
3.4 A
栅极至源极电压(Vgs)
13 V
增益
19 dB
DS 击穿电压-最小值
65 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
漏源电阻
55 mΩ
最高频段
L带
测试电压
28 V
辐射硬化
无
BLF8G20LS-400PGVJ拓展信息
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