NXP USA Inc. BLF8G27LS-150VU
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BLF8G27LS-150VU
1786-BLF8G27LS-150VU
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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BLF8G27LS-150V
1最小包装量--
BLF8G27LS-150VU详情
NXP USA Inc. BLF8G27LS-150VU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
26 Weeks
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
7
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
Voltage, Rating
65 V
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
Package Description
FLATPACK, R-CDFP-F6
Package Style
FLATPACK
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BLF8G27LS-150VU
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Ampleon
Part Life Cycle Code
接触制造商
Ihs Manufacturer
AMPLEON NETHERLANDS B V
Risk Rank
5.27
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
225 °C
最小工作温度
-65 °C
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
频率
2.7 GHz
参考标准
IEC-60134
JESD-30代码
R-CDFP-F6
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
输出功率
45 W
晶体管应用
AMPLIFIER
测试电流
1.3 A
漏源电压 (Vdss)
65 V
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
1.3 A
栅极至源极电压(Vgs)
13 V
增益
18 dB
最高频率
2.7 GHz
DS 击穿电压-最小值
65 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
漏源电阻
60 mΩ
最高频段
S带
测试电压
28 V
辐射硬化
无
BLF8G27LS-150VU拓展信息
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