NXP USA Inc. BLP10H603AZ
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BLP10H603AZ
1786-BLP10H603AZ
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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BLP10H603AZ datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from NXP USA Inc. stock available at utmel
1最小包装量--
BLP10H603AZ详情
NXP USA Inc. BLP10H603AZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
26 Weeks
表面安装
YES
终端数量
12
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
HVSON-12
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BLP10H603AZ
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Ampleon
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
接触制造商
Ihs Manufacturer
AMPLEON NETHERLANDS B V
Risk Rank
5.4
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
参考标准
IEC-60134
JESD-30代码
R-PDSO-N12
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
MO-229
DS 击穿电压-最小值
104 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频段
L带
达到SVHC
unknown
BLP10H603AZ拓展信息
NXP USA Inc.
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