NXP USA Inc. BLP10H610Z
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BLP10H610Z
1786-BLP10H610Z
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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BLP10H610Z datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from NXP USA Inc. stock available at utmel
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BLP10H610Z详情
NXP USA Inc. BLP10H610Z重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
26 Weeks
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
12
终端数量
12
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Compliant
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-N12
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BLP10H610Z
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Ampleon
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
接触制造商
Ihs Manufacturer
AMPLEON NETHERLANDS B V
Risk Rank
5.39
包装
Tape & Reel
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
参考标准
IEC-60134
JESD-30代码
R-PDSO-N12
配置
COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
MO-229
DS 击穿电压-最小值
104 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频段
L带
辐射硬化
无
达到SVHC
unknown
BLP10H610Z拓展信息
NXP USA Inc.
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