NXP USA Inc. BLP7G07S-140PY
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BLP7G07S-140PY
1786-BLP7G07S-140PY
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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BLP7G07S-140P
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BLP7G07S-140PY详情
NXP USA Inc. BLP7G07S-140PY重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
4
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Compliant
Voltage, Rating
65 V
Package Description
ROHS COMPLIANT, PLASTIC, HSOP4F, 4 PIN
Package Style
FLATPACK
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BLP7G07S-140PY
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Ampleon
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
AMPLEON NETHERLANDS B V
Risk Rank
5.73
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
225 °C
最小工作温度
-65 °C
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
频率
769 MHz
参考标准
IEC-60134
JESD-30代码
R-PDFP-F4
配置
COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
输出功率
35 W
晶体管应用
AMPLIFIER
测试电流
1.2 A
漏源电压 (Vdss)
65 V
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
1.2 A
栅极至源极电压(Vgs)
13 V
增益
20.9 dB
DS 击穿电压-最小值
65 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
漏源电阻
190 mΩ
最高频段
超高频段
测试电压
28 V
功率增益-最小值(Gp)
19.8 dB
辐射硬化
无
BLP7G07S-140PY拓展信息
NXP USA Inc.
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