NXP USA Inc. BLS6G3135-20,112
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BLS6G3135-20,112
1786-BLS6G3135-20,112
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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BLS6G3135-20
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BLS6G3135-20,112详情
NXP USA Inc. BLS6G3135-20,112重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
26 Weeks
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package
Tube
Base Product Number
BLS6
厂商
NXP USA Inc.
Product Status
活跃
Package Description
FLANGE MOUNT, S-CDFM-F2
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
225 °C
Drain Current-Max (ID)
2.1 A
Risk Rank
4.25
Ihs Manufacturer
AMPLEON NETHERLANDS B V
Part Life Cycle Code
接触制造商
Number of Elements
1
Manufacturer
Ampleon
Package Shape
SQUARE
Manufacturer Part Number
BLS6G3135-20,112
Rohs Code
有
系列
*
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
参考标准
IEC-60134
JESD-30代码
S-CDFM-F2
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
DS 击穿电压-最小值
60 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频段
S带
达到SVHC
unknown
BLS6G3135-20,112拓展信息
NXP USA Inc.
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