NXP USA Inc. BSH103,215
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BSH103,215
1786-BSH103,215
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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BSH103 Series 30 V 850 mA 400 mOhm N-Ch Enhancement Mode MOS Transistor - SOT-23
--最小包装量--
BSH103,215详情
NXP USA Inc. BSH103,215重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
SOT-23 (TO-236AB)
PCN Packaging
Lighter Reels 02/Jan/2014
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
850mA (Ta)
Standard Package
1
Input Capacitance (Ciss) @ Vds
83pF @ 24V
Online Catalog
N-Channel Logic Level Gate FETs
Gate Charge (Qg) @ Vgs
2.1nC @ 4.5V
ECCN
ECL99
包装
Cut Tape (CT)
功率 - 最大
540mW
家人
FETs - Single
场效应管类型
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Rds On(Max)@Id,Vgs
400 mOhm @ 500mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
400mV @ 1mA (Min)
漏源电压 (Vdss)
30V
场效应管特性
逻辑电平门
BSH103,215拓展信息
NXP USA Inc.
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