NXP USA Inc. BSH108,215
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BSH108,215
1786-BSH108,215
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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BSH108 Series 30 V 120 mOhm 0.83 W N-Channel Enhancement Mode Transistor -SOT-23
1最小包装量--
BSH108,215详情
NXP USA Inc. BSH108,215重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件包装
SOT-23 (TO-236AB)
Gate Charge (Qg) @ Vgs
10nC @ 10V
Standard Package
3,000
ECCN
ECL99
Online Catalog
N-Channel Logic Level Gate FETs
PCN Packaging
Lighter Reels 02/Jan/2014
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1.9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) @ Vds
190pF @ 10V
包装
Tape & Reel (TR)
功率 - 最大
830mW
家人
FETs - Single
场效应管类型
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Rds On(Max)@Id,Vgs
120 mOhm @ 1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA
漏源电压 (Vdss)
30V
场效应管特性
逻辑电平门
BSH108,215拓展信息
NXP USA Inc.
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