NXP USA Inc. BSH111,235

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

安装类型

表面贴装

供应商器件包装

SOT-23 (TO-236AB)

Gate Charge (Qg) @ Vgs

1nC @ 8V

PCN Obsolescence/ EOL

Multiple Devices 29/Dec/2014

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

335mA (Ta)

Standard Package

10,000

Input Capacitance (Ciss) @ Vds

40pF @ 10V

包装

Tape & Reel (TR)

功率 - 最大

830mW

家人

FETs - Single

场效应管类型

MOSFET N-Channel, Metal Oxide

Rds On(Max)@Id,Vgs

4 Ohm @ 500mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.3V @ 1mA

漏源电压 (Vdss)

55V

场效应管特性

逻辑电平门