NXP USA Inc. BSH202,215
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BSH202,215
1786-BSH202,215
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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BSH202 Series 30 V 0.9 Ohm 417 mW P-Channel Enhancement MOS Transistor - SOT-23
1最小包装量--
BSH202,215详情
NXP USA Inc. BSH202,215重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
SOT-23 (TO-236AB)
Input Capacitance (Ciss) @ Vds
80pF @ 24V
Online Catalog
P-Channel Logic Level Gate FETs
PCN Packaging
Lighter Reels 02/Jan/2014
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
520mA (Ta)
Gate Charge (Qg) @ Vgs
2.9nC @ 10V
Standard Package
1
ECCN
ECL99
Package
Bulk
Base Product Number
BSN2
厂商
NXP USA Inc.
Product Status
活跃
包装
Cut Tape (CT)
系列
*
功率 - 最大
417mW
家人
FETs - Single
场效应管类型
MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Rds On(Max)@Id,Vgs
900 mOhm @ 280mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.9V @ 1mA
漏源电压 (Vdss)
30V
场效应管特性
逻辑电平门
BSH202,215拓展信息
NXP USA Inc.
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