NXP USA Inc. BSH205,215

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

750mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

417mW Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

1998

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

逻辑电平兼容

HTS代码

8541.21.00.95

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

400m Ω @ 430mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

680mV @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

200pF @ 9.6V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

3.8nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

12V

Vgs（最大值）

±8V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.75A

漏极-源极导通最大电阻

0.5Ohm

DS 击穿电压-最小值

12V

RoHS状态

ROHS3 Compliant