NXP USA Inc. BSN20,215

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

3

质量

4.535924 g

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Package

Bulk

Base Product Number

BSN2

厂商

NXP USA Inc.

Product Status

活跃

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSN20,215

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Nexperia

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NEXPERIA

Risk Rank

5.26

Drain Current-Max (ID)

0.173 A

系列

*

JESD-609代码

e3

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

15 Ω

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

附加功能

逻辑电平兼容

最大功率耗散

830 mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

830 mW

晶体管应用

SWITCHING

漏源电压 (Vdss)

50 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

170 mA

阈值电压

1 V

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大双电源电压

50 V

漏极-源极导通最大电阻

20 Ω

漏源击穿电压

50 V

双电源电压

50 V

输入电容

17 pF

DS 击穿电压-最小值

50 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

15 Ω

最大rds

15 Ω

栅源电压

1 V

反馈上限-最大值 (Crss)

8 pF

宽度

1.4 mm

高度

1 mm

长度

3 mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

无铅

无铅