NXP USA Inc. BSP126,115
- 收藏
- 对比
BSP126,115
1786-BSP126,115
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-261-4, TO-261AA
大陆
立即发货

BSP126 Series 250V 5 Ohm 1.5W N-Ch Enhancement Mode D-MOS Transistor - SOT-223
1最小包装量--
BSP126,115详情
NXP USA Inc. BSP126,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
安装类型
表面贴装
触点镀层
Tin
引脚数
4
供应商器件包装
SC-73
PCN Design/Specification
Resin Hardener 02/Jul/2013
Standard Package
1,000
RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Online Catalog
N-Channel Logic Level Gate FETs
PCN Packaging
Lighter Reels 02/Jan/2014
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
375mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) @ Vds
120pF @ 25V
Number of Elements
1
Package
Bulk
Base Product Number
BSP1
厂商
NXP USA Inc.
Product Status
活跃
包装
Tape & Reel (TR)
系列
*
电阻
5 Ω
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
1.5 W
功率耗散
1.5 W
功率 - 最大
1.5W
家人
FETs - Single
场效应管类型
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Rds On(Max)@Id,Vgs
5 Ohm @ 300mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA
漏源电压 (Vdss)
250V
连续放电电流(ID)
375 mA
阈值电压
2 V
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
最大双电源电压
250 V
漏源击穿电压
250 V
输入电容
120 pF
场效应管特性
逻辑电平门
漏源电阻
5 Ω
最大rds
5 Ω
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
无铅
无铅
BSP126,115拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.







哦! 它是空的。