NXP USA Inc. BSP220,115

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

安装类型

表面贴装

触点镀层

Tin

引脚数

4

供应商器件包装

SC-73

质量

4.535924 g

RoHS

Lead free / RoHS Compliant

Online Catalog

P-Channel Logic Level Gate FETs

PCN Packaging

Lighter Reels 02/Jan/2014

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

225mA (Ta)

PCN Design/Specification

Resin Hardener 02/Jul/2013

Standard Package

1,000

Input Capacitance (Ciss) @ Vds

90pF @ 25V

Turn Off Delay Time

30 ns

包装

Tape & Reel (TR)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

1.5 W

元素配置

Single

功率耗散

1.5 W

接通延迟时间

20 ns

功率 - 最大

1.5W

家人

FETs - Single

场效应管类型

MOSFET P-Channel, Metal Oxide

Rds On(Max)@Id,Vgs

12 Ohm @ 200mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.8V @ 1mA

漏源电压 (Vdss)

200V

连续放电电流(ID)

225 mA

阈值电压

-2.8 V

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大双电源电压

-200 V

漏源击穿电压

-200 V

输入电容

90 pF

场效应管特性

逻辑电平门

漏源电阻

12 Ω

最大rds

12 Ω

栅源电压

-2.8 V

宽度

3.7 mm

高度

1.7 mm

长度

6.7 mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

无铅

无铅