NXP USA Inc. BSP225,115

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

安装类型

表面贴装

供应商器件包装

SC-73

RoHS

Lead free / RoHS Compliant

PCN Design/Specification

Resin Hardener 02/Jul/2013

Standard Package

1

PCN Packaging

Lighter Reels 02/Jan/2014

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

225mA (Ta)

Online Catalog

P-Channel Logic Level Gate FETs

Input Capacitance (Ciss) @ Vds

90pF @ 25V

功率 - 最大

1.5W

家人

FETs - Single

场效应管类型

MOSFET P-Channel, Metal Oxide

Rds On(Max)@Id,Vgs

15 Ohm @ 200mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.8V @ 1mA

漏源电压 (Vdss)

250V

场效应管特性

逻辑电平门