NXP USA Inc. BSP250T/R

表面安装

YES

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Voltage Rating (DC)

-30 V

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

200 ns

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSP250T/R

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Nexperia

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NEXPERIA

Risk Rank

5.1

Drain Current-Max (ID)

3 A

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

额定电流

-3 A

JESD-30代码

R-PDSO-G4

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.65 W

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

40 ns

漏源电压 (Vdss)

30 V

极性/通道类型

P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

3 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

漏极-源极导通最大电阻

0.4 Ω

漏源击穿电压

30 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

12 A

输入电容

250 pF

DS 击穿电压-最小值

30 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

无铅

无铅