NXP USA Inc. BSR12,215
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BSR12,215
1786-BSR12,215
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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TRANS PNP 15V 0.1A SOT-23
1最小包装量--
BSR12,215详情
NXP USA Inc. BSR12,215重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
1999
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
HTS代码
8541.21.00.75
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BSR12
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
功率 - 最大
250mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
30 @ 50mA 1V
最大集极截止电流
50nA
JEDEC-95代码
TO-236AB
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
450mV @ 10mA, 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
15V
转换频率
1500MHz
频率转换
1.5GHz
最大耗散功率(Abs)
0.25W
最高频段
S B
集电极-基极电容-最大值
4.5pF
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BSR12,215拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
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