NXP USA Inc. BSS84,215
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BSS84,215
1786-BSS84,215
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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BSS84 Series 50 V 100 Ohm P-Channel Enhancement Mode D-MOS Transistor SOT-23
1最小包装量--
BSS84,215详情
NXP USA Inc. BSS84,215重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
SOT-23 (TO-236AB)
RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Online Catalog
P-Channel Logic Level Gate FETs
Standard Package
1
PCN Packaging
Lighter Reels 02/Jan/2014
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
130mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) @ Vds
45pF @ 25V
包装
Cut Tape (CT)
功率 - 最大
250mW
家人
FETs - Single
场效应管类型
MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Rds On(Max)@Id,Vgs
10 Ohm @ 130mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA
漏源电压 (Vdss)
50V
场效应管特性
逻辑电平门
BSS84,215拓展信息
NXP USA Inc.
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